Справочник MOSFET. HB3510P

 

HB3510P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HB3510P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 82 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 608 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для HB3510P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HB3510P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3080K  haolin elec
 hb3510p hp3510p.pdf pdf_icon

HB3510P

HB3510P,HP3510P100V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche testedTO-263TO-220 Improved dv/dt capability211APPLICATIONS 3231.Gate 2. Drain 3. Source Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Absolute Maximum Ratings TC = 25 unless otherwise notedC,ValueParameter Sym

Другие MOSFET... 5N04 , HA20N50 , HA20N60 , HA210N06 , HA25N50 , HA9N90 , HB100N08 , HP100N08 , 12N60 , HP3510P , HB3710P , HP3710P , HD1H15A , HD30N03 , HU30N03 , HD30N06 , HU30N06 .

History: RUH1H150T | FCMT099N65S3 | KMB012N30QA | SSM9922GEO | HSP6016 | WST6003 | TPS1120

 

 
Back to Top

 


 
.