HP3510P Todos los transistores

 

HP3510P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HP3510P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 82 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 608 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de HP3510P MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HP3510P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3080K  haolin elec
 hb3510p hp3510p.pdf pdf_icon

HP3510P

HB3510P,HP3510P100V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche testedTO-263TO-220 Improved dv/dt capability211APPLICATIONS 3231.Gate 2. Drain 3. Source Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Absolute Maximum Ratings TC = 25 unless otherwise notedC,ValueParameter Sym

Otros transistores... HA20N50 , HA20N60 , HA210N06 , HA25N50 , HA9N90 , HB100N08 , HP100N08 , HB3510P , 2N7002 , HB3710P , HP3710P , HD1H15A , HD30N03 , HU30N03 , HD30N06 , HU30N06 , HD40N04 .

History: FJ3303010L

 

 
Back to Top

 


 
.