HP3510P - описание и поиск аналогов

 

HP3510P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HP3510P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 82 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 608 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HP3510P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HP3510P даташит

 ..1. Size:3080K  haolin elec
 hb3510p hp3510p.pdf pdf_icon

HP3510P

HB3510P,HP3510P 100V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested TO-263 TO-220 Improved dv/dt capability 2 1 1 APPLICATIONS 3 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Absolute Maximum Ratings TC = 25 unless otherwise noted C, Value Parameter Sym

Другие MOSFET... HA20N50 , HA20N60 , HA210N06 , HA25N50 , HA9N90 , HB100N08 , HP100N08 , HB3510P , 2N7002 , HB3710P , HP3710P , HD1H15A , HD30N03 , HU30N03 , HD30N06 , HU30N06 , HD40N04 .

History: ET8818

 

 

 

 

↑ Back to Top
.