Справочник MOSFET. HP3510P

 

HP3510P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HP3510P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 82 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 608 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HP3510P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HP3510P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3080K  haolin elec
 hb3510p hp3510p.pdf pdf_icon

HP3510P

HB3510P,HP3510P100V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche testedTO-263TO-220 Improved dv/dt capability211APPLICATIONS 3231.Gate 2. Drain 3. Source Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Absolute Maximum Ratings TC = 25 unless otherwise notedC,ValueParameter Sym

Другие MOSFET... HA20N50 , HA20N60 , HA210N06 , HA25N50 , HA9N90 , HB100N08 , HP100N08 , HB3510P , K4145 , HB3710P , HP3710P , HD1H15A , HD30N03 , HU30N03 , HD30N06 , HU30N06 , HD40N04 .

History: MTC8958G6 | NCE15P25J | IRLR3717 | IXFB60N80P | CSZ44V-1 | CS8N80A8D

 

 
Back to Top

 


 
.