HP3510P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HP3510P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 60 nC
Время нарастания (tr): 82 ns
Выходная емкость (Cd): 608 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.038 Ohm
Тип корпуса: TO220
HP3510P Datasheet (PDF)
..1. Size:3080K haolin elec
hb3510p hp3510p.pdf
hb3510p hp3510p.pdf
HB3510P,HP3510P100V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche testedTO-263TO-220 Improved dv/dt capability211APPLICATIONS 3231.Gate 2. Drain 3. Source Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Absolute Maximum Ratings TC = 25 unless otherwise notedC,ValueParameter Sym
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
