HB3710P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HB3710P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 610 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de HB3710P MOSFET
HB3710P Datasheet (PDF)
hb3710p hp3710p.pdf

HB3710P,HP3710P100V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching TO-263TO-220 100% avalanche tested Improved dv/dt capability2113231.Gate 2. Drain 3. SourceAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Absolute Maximum Ratings TC = 25 unless otherwise notedC,ValueParameter Sym
Otros transistores... HA20N60 , HA210N06 , HA25N50 , HA9N90 , HB100N08 , HP100N08 , HB3510P , HP3510P , IRF1010E , HP3710P , HD1H15A , HD30N03 , HU30N03 , HD30N06 , HU30N06 , HD40N04 , HD50N06D .
History: SI9945AEY-T1-E3 | SWF16N65D | IRLS3036-7PPBF | NDT06N03 | STH15NB50FI
History: SI9945AEY-T1-E3 | SWF16N65D | IRLS3036-7PPBF | NDT06N03 | STH15NB50FI



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout