HB3710P - описание и поиск аналогов

 

HB3710P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HB3710P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 610 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для HB3710P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HB3710P даташит

 ..1. Size:6542K  haolin elec
 hb3710p hp3710p.pdf pdf_icon

HB3710P

HB3710P,HP3710P 100V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching TO-263 TO-220 100% avalanche tested Improved dv/dt capability 2 1 1 3 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Absolute Maximum Ratings TC = 25 unless otherwise noted C, Value Parameter Sym

Другие MOSFET... HA20N60 , HA210N06 , HA25N50 , HA9N90 , HB100N08 , HP100N08 , HB3510P , HP3510P , IRF9540N , HP3710P , HD1H15A , HD30N03 , HU30N03 , HD30N06 , HU30N06 , HD40N04 , HD50N06D .

History: SWF15N50 | RUF020N02 | SWD4N50K | AOWF10N60 | 4N60L-TN3-R | SWD80N04V | HM4354

 

 

 

 

↑ Back to Top
.