HB3710P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HB3710P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 70 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 105 nC
Время нарастания (tr): 28 ns
Выходная емкость (Cd): 610 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm
Тип корпуса: TO263
HB3710P Datasheet (PDF)
..1. Size:6542K haolin elec
hb3710p hp3710p.pdf
hb3710p hp3710p.pdf
HB3710P,HP3710P100V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching TO-263TO-220 100% avalanche tested Improved dv/dt capability2113231.Gate 2. Drain 3. SourceAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Absolute Maximum Ratings TC = 25 unless otherwise notedC,ValueParameter Sym
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
