HD1H15A Todos los transistores

 

HD1H15A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HD1H15A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 10 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252 TO251
 

 Búsqueda de reemplazo de HD1H15A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HD1H15A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4197K  haolin elec
 hd1h15a.pdf pdf_icon

HD1H15A

100VDS20VGS15A(ID) N-Channel Enhancement Mode MOSFET HD1H15AFeatures Applications VDSS=100VVGSS=20VID=15A Synchronous Rectification Power Management in Inverter System RDS(ON)=105m(Max.)@VGS=10V RDS(ON)=175m(Max.)@VGS=4.5V ESD protect Reliable and Rugged High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance TO-252 TO-251Chip Di

Otros transistores... HA25N50 , HA9N90 , HB100N08 , HP100N08 , HB3510P , HP3510P , HB3710P , HP3710P , 5N60 , HD30N03 , HU30N03 , HD30N06 , HU30N06 , HD40N04 , HD50N06D , HU50N06D , HD5N50 .

History: WVM25N40 | 2SK1498 | IRLR3105PBF | SI4N60-TN3-T | SKS10N20 | HSM4435 | DH012N03U

 

 
Back to Top

 


 
.