HD1H15A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HD1H15A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 10 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
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HD1H15A datasheet
hd1h15a.pdf
100VDS 20VGS 15A(ID) N-Channel Enhancement Mode MOSFET HD1H15A Features Applications VDSS=100V VGSS= 20V ID=15A Synchronous Rectification Power Management in Inverter System RDS(ON)=105m (Max.)@VGS=10V RDS(ON)=175m (Max.)@VGS=4.5V ESD protect Reliable and Rugged High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance TO-252 TO-251 Chip Di
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History: SW4N70K
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