Справочник MOSFET. HD1H15A

 

HD1H15A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HD1H15A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: TO252 TO251
 

 Аналог (замена) для HD1H15A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HD1H15A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4197K  haolin elec
 hd1h15a.pdf pdf_icon

HD1H15A

100VDS20VGS15A(ID) N-Channel Enhancement Mode MOSFET HD1H15AFeatures Applications VDSS=100VVGSS=20VID=15A Synchronous Rectification Power Management in Inverter System RDS(ON)=105m(Max.)@VGS=10V RDS(ON)=175m(Max.)@VGS=4.5V ESD protect Reliable and Rugged High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance TO-252 TO-251Chip Di

Другие MOSFET... HA25N50 , HA9N90 , HB100N08 , HP100N08 , HB3510P , HP3510P , HB3710P , HP3710P , 5N60 , HD30N03 , HU30N03 , HD30N06 , HU30N06 , HD40N04 , HD50N06D , HU50N06D , HD5N50 .

History: AMA931PE | WMO13N10TS | STF9NK60ZD | AS2318 | 2SK963 | GPT09N50D

 

 
Back to Top

 


 
.