HD1H15A - описание и поиск аналогов

 

HD1H15A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HD1H15A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm

Тип корпуса: TO252 TO251

Аналог (замена) для HD1H15A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HD1H15A даташит

 ..1. Size:4197K  haolin elec
 hd1h15a.pdf pdf_icon

HD1H15A

100VDS 20VGS 15A(ID) N-Channel Enhancement Mode MOSFET HD1H15A Features Applications VDSS=100V VGSS= 20V ID=15A Synchronous Rectification Power Management in Inverter System RDS(ON)=105m (Max.)@VGS=10V RDS(ON)=175m (Max.)@VGS=4.5V ESD protect Reliable and Rugged High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance TO-252 TO-251 Chip Di

Другие MOSFET... HA25N50 , HA9N90 , HB100N08 , HP100N08 , HB3510P , HP3510P , HB3710P , HP3710P , IRLB4132 , HD30N03 , HU30N03 , HD30N06 , HU30N06 , HD40N04 , HD50N06D , HU50N06D , HD5N50 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.