HD30N03 Todos los transistores

 

HD30N03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HD30N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 155 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 570 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm

Encapsulados: TO252

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HD30N03 datasheet

 ..1. Size:1392K  haolin elec
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HD30N03

Nov 2009 BVDSS = 30 V RDS(on) = 19m HD30N03 / HU30N03 ID = 20 A 30V N-Channel MOSFET TO-252 TO-251 FEATURES Originative New Design HD30N03 HU30N03 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 18.5 nC (Typ.) Ext

 8.1. Size:2179K  haolin elec
 hd30n06 hu30n06.pdf pdf_icon

HD30N03

Nov 2019 BVDSS = 60 V RDS(on) = 32 m HD30N06 / HU30N06 ID = 30 A 60V N-Channel MOSFET TO-252 TO-251 FEATURES Originative New Design HD30N06 HU30N06 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 40 nC (Typ.) Exte

Otros transistores... HA9N90 , HB100N08 , HP100N08 , HB3510P , HP3510P , HB3710P , HP3710P , HD1H15A , AO3401 , HU30N03 , HD30N06 , HU30N06 , HD40N04 , HD50N06D , HU50N06D , HD5N50 , HU5N50 .

History: 2SK1337 | HCFL80R380 | HB3510P | JCS10N60BT | IRF7342QPBF | SUD20N10-66L | SUD40N08-16

 

 

 

 

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