HD30N03 Todos los transistores

 

HD30N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HD30N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 155 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 570 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de HD30N03 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HD30N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1392K  haolin elec
 hd30n03 hu30n03.pdf pdf_icon

HD30N03

Nov 2009BVDSS = 30 VRDS(on) = 19mHD30N03 / HU30N03ID = 20 A30V N-Channel MOSFETTO-252 TO-251FEATURES Originative New DesignHD30N03 HU30N03 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 18.5 nC (Typ.) Ext

 8.1. Size:2179K  haolin elec
 hd30n06 hu30n06.pdf pdf_icon

HD30N03

Nov 2019BVDSS = 60 VRDS(on) = 32 mHD30N06 / HU30N06ID = 30 A60V N-Channel MOSFETTO-252 TO-251FEATURES Originative New DesignHD30N06 HU30N06 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 40 nC (Typ.) Exte

Otros transistores... HA9N90 , HB100N08 , HP100N08 , HB3510P , HP3510P , HB3710P , HP3710P , HD1H15A , AO3400 , HU30N03 , HD30N06 , HU30N06 , HD40N04 , HD50N06D , HU50N06D , HD5N50 , HU5N50 .

History: STB3NK60Z | NCE8601B | SIHG17N80E | IPG20N04S4L-08 | IPI051N15N5 | VN66AD | RFD12N06RLES

 

 
Back to Top

 


 
.