Справочник MOSFET. HD30N03

 

HD30N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HD30N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 155 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для HD30N03

 

 

HD30N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1392K  haolin elec
 hd30n03 hu30n03.pdf

HD30N03 HD30N03

Nov 2009BVDSS = 30 VRDS(on) = 19mHD30N03 / HU30N03ID = 20 A30V N-Channel MOSFETTO-252 TO-251FEATURES Originative New DesignHD30N03 HU30N03 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 18.5 nC (Typ.) Ext

 8.1. Size:2179K  haolin elec
 hd30n06 hu30n06.pdf

HD30N03 HD30N03

Nov 2019BVDSS = 60 VRDS(on) = 32 mHD30N06 / HU30N06ID = 30 A60V N-Channel MOSFETTO-252 TO-251FEATURES Originative New DesignHD30N06 HU30N06 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 40 nC (Typ.) Exte

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top