HU30N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HU30N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 155 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 570 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de HU30N03 MOSFET
HU30N03 Datasheet (PDF)
hd30n03 hu30n03.pdf
Nov 2009BVDSS = 30 VRDS(on) = 19mHD30N03 / HU30N03ID = 20 A30V N-Channel MOSFETTO-252 TO-251FEATURES Originative New DesignHD30N03 HU30N03 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 18.5 nC (Typ.) Ext
hd30n06 hu30n06.pdf
Nov 2019BVDSS = 60 VRDS(on) = 32 mHD30N06 / HU30N06ID = 30 A60V N-Channel MOSFETTO-252 TO-251FEATURES Originative New DesignHD30N06 HU30N06 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 40 nC (Typ.) Exte
Otros transistores... HB100N08 , HP100N08 , HB3510P , HP3510P , HB3710P , HP3710P , HD1H15A , HD30N03 , SPP20N60C3 , HD30N06 , HU30N06 , HD40N04 , HD50N06D , HU50N06D , HD5N50 , HU5N50 , HD60N03 .
History: 2N5670
History: 2N5670
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440