HU30N03 - описание и поиск аналогов

 

HU30N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HU30N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 155 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для HU30N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HU30N03 даташит

 ..1. Size:1392K  haolin elec
 hd30n03 hu30n03.pdf pdf_icon

HU30N03

Nov 2009 BVDSS = 30 V RDS(on) = 19m HD30N03 / HU30N03 ID = 20 A 30V N-Channel MOSFET TO-252 TO-251 FEATURES Originative New Design HD30N03 HU30N03 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 18.5 nC (Typ.) Ext

 8.1. Size:2179K  haolin elec
 hd30n06 hu30n06.pdf pdf_icon

HU30N03

Nov 2019 BVDSS = 60 V RDS(on) = 32 m HD30N06 / HU30N06 ID = 30 A 60V N-Channel MOSFET TO-252 TO-251 FEATURES Originative New Design HD30N06 HU30N06 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 40 nC (Typ.) Exte

Другие MOSFET... HB100N08 , HP100N08 , HB3510P , HP3510P , HB3710P , HP3710P , HD1H15A , HD30N03 , K3569 , HD30N06 , HU30N06 , HD40N04 , HD50N06D , HU50N06D , HD5N50 , HU5N50 , HD60N03 .

History: KIA2906A-220 | HX3400 | MMD65R900QRH | SVF10N65T | RU4N65P | ET8205 | AOWF12N50

 

 

 

 

↑ Back to Top
.