HD40N04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HD40N04
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 40 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 23.5 nC
Tiempo de subida (tr): 12 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 83 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HD40N04
HD40N04 Datasheet (PDF)
..1. Size:2496K haolin elec
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HD40N04 N-Channel Trench Power MOSFET General Description The HD40N04 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with DS(ON)gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a wide variety of applications. Features VDS = 40V,ID =40A R
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