HD40N04 Todos los transistores

 

HD40N04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HD40N04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 83 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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HD40N04 Datasheet (PDF)

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HD40N04

HD40N04 N-Channel Trench Power MOSFET General Description The HD40N04 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with DS(ON)gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a wide variety of applications. Features VDS = 40V,ID =40A R

Otros transistores... HP3510P , HB3710P , HP3710P , HD1H15A , HD30N03 , HU30N03 , HD30N06 , HU30N06 , AON7410 , HD50N06D , HU50N06D , HD5N50 , HU5N50 , HD60N03 , HU60N03 , HD60N75 , HU60N75 .

History: APT50M50L2LL | 2SK1180 | SI25N10 | NCEP6090 | DH020N03D | HY3410MF

 

 
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