HD40N04 - описание и поиск аналогов

 

HD40N04. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HD40N04

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 83 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для HD40N04

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HD40N04 даташит

 ..1. Size:2496K  haolin elec
 hd40n04.pdf pdf_icon

HD40N04

HD40N04 N-Channel Trench Power MOSFET General Description The HD40N04 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with DS(ON) gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a wide variety of applications. Features VDS = 40V,ID =40A R

Другие MOSFET... HP3510P , HB3710P , HP3710P , HD1H15A , HD30N03 , HU30N03 , HD30N06 , HU30N06 , SPP20N60C3 , HD50N06D , HU50N06D , HD5N50 , HU5N50 , HD60N03 , HU60N03 , HD60N75 , HU60N75 .

History: KCF3650A | AOWF10N60 | SWD80N04V | 4N60L-TN3-R | RUF020N02 | SWD4N50K | HM4354

 

 

 

 

↑ Back to Top
.