Справочник MOSFET. HD40N04

 

HD40N04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HD40N04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 83 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для HD40N04

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HD40N04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2496K  haolin elec
 hd40n04.pdf pdf_icon

HD40N04

HD40N04 N-Channel Trench Power MOSFET General Description The HD40N04 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with DS(ON)gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a wide variety of applications. Features VDS = 40V,ID =40A R

Другие MOSFET... HP3510P , HB3710P , HP3710P , HD1H15A , HD30N03 , HU30N03 , HD30N06 , HU30N06 , AON7410 , HD50N06D , HU50N06D , HD5N50 , HU5N50 , HD60N03 , HU60N03 , HD60N75 , HU60N75 .

History: NCE6050A | FMC16N50ES | IRF9Z24NSPBF | SI9410BDY-T1 | STB45N30M5 | APT1201R6BVFR | KF10N60F

 

 
Back to Top

 


 
.