HU60P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HU60P03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 258 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de HU60P03 MOSFET
HU60P03 Datasheet (PDF)
hd60p03 hu60p03.pdf

HD60P03 / HU60P03 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The 60P03 uses advanced trench technology to provide BVDSS = -30Vexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. mRDS(on) typ =13 ID = -50 AGENERAL FEATURES VDS = -30V,ID = -20A TO-252 TO-251RDS(ON)
Otros transistores... HU50N06D , HD5N50 , HU5N50 , HD60N03 , HU60N03 , HD60N75 , HU60N75 , HD60P03 , STP80NF70 , HD70N08 , HU70N08 , HD830 , HU830 , HD830U , HU830U , HD840U , HU840U .
History: UTN3055 | 2SK1662M | IRFP9150
History: UTN3055 | 2SK1662M | IRFP9150



Liste
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