HU60P03 Todos los transistores

 

HU60P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HU60P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 258 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

 Búsqueda de reemplazo de HU60P03 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HU60P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2508K  haolin elec
 hd60p03 hu60p03.pdf pdf_icon

HU60P03

HD60P03 / HU60P03 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The 60P03 uses advanced trench technology to provide BVDSS = -30Vexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. mRDS(on) typ =13 ID = -50 AGENERAL FEATURES VDS = -30V,ID = -20A TO-252 TO-251RDS(ON)

Otros transistores... HU50N06D , HD5N50 , HU5N50 , HD60N03 , HU60N03 , HD60N75 , HU60N75 , HD60P03 , AO4407 , HD70N08 , HU70N08 , HD830 , HU830 , HD830U , HU830U , HD840U , HU840U .

History: NCE01P30 | XG65T125PS1B | 2SK2606 | APT10M19BVRG | CS3205 | SPTP65R160 | APT1003RSLLG

 

 
Back to Top

 


 
.