HU60P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HU60P03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 60 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 30 nC
Tiempo de subida (tr): 26 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 258 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.017 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HU60P03
HU60P03 Datasheet (PDF)
hd60p03 hu60p03.pdf
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HD60P03 / HU60P03 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The 60P03 uses advanced trench technology to provide BVDSS = -30Vexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. mRDS(on) typ =13 ID = -50 AGENERAL FEATURES VDS = -30V,ID = -20A TO-252 TO-251RDS(ON)
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