HU60P03 - описание и поиск аналогов

 

HU60P03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HU60P03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 258 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для HU60P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HU60P03 даташит

 ..1. Size:2508K  haolin elec
 hd60p03 hu60p03.pdf pdf_icon

HU60P03

HD60P03 / HU60P03 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The 60P03 uses advanced trench technology to provide BVDSS = -30V excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. m RDS(on) typ =13 ID = -50 A GENERAL FEATURES VDS = -30V,ID = -20A TO-252 TO-251 RDS(ON)

Другие MOSFET... HU50N06D , HD5N50 , HU5N50 , HD60N03 , HU60N03 , HD60N75 , HU60N75 , HD60P03 , IRF530 , HD70N08 , HU70N08 , HD830 , HU830 , HD830U , HU830U , HD840U , HU840U .

History: 2SK316 | HX3400 | SGO4606T | AOWF12N50 | SMG1330N | AOTF7S60L | SVF10N65T

 

 

 

 

↑ Back to Top
.