Справочник MOSFET. HU60P03

 

HU60P03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HU60P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 258 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для HU60P03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HU60P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2508K  haolin elec
 hd60p03 hu60p03.pdf pdf_icon

HU60P03

HD60P03 / HU60P03 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The 60P03 uses advanced trench technology to provide BVDSS = -30Vexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. mRDS(on) typ =13 ID = -50 AGENERAL FEATURES VDS = -30V,ID = -20A TO-252 TO-251RDS(ON)

Другие MOSFET... HU50N06D , HD5N50 , HU5N50 , HD60N03 , HU60N03 , HD60N75 , HU60N75 , HD60P03 , AO4407 , HD70N08 , HU70N08 , HD830 , HU830 , HD830U , HU830U , HD840U , HU840U .

History: NCE85H21C | HTD2K4P15T | SHD225628 | AOB409L | HM1607D | NTJS4405NT1

 

 
Back to Top

 


 
.