HU70N08 Todos los transistores

 

HU70N08 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HU70N08

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: TO251

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HU70N08 datasheet

 ..1. Size:4025K  haolin elec
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HU70N08

Dec 2006 BVDSS = 80V RDS(on) typ =8.5m HD70N08 / HU70N08 ID = 70 A 80V N -Channel MOSFET TO-252 TO-251 FEATURES Originative New Design HD70N08 HU70N08 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 22 nC (Typ.)

 8.1. Size:708K  feihonltd
 fhu70n03a fhd70n03a.pdf pdf_icon

HU70N08

N N-CHANNEL MOSFET FHU70N03A/FHD70N03A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 68 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 130pF) Low Crss (typical 130pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 7.4m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 10.8m 100% 100% avalanche tested

Otros transistores... HU5N50 , HD60N03 , HU60N03 , HD60N75 , HU60N75 , HD60P03 , HU60P03 , HD70N08 , NCEP15T14 , HD830 , HU830 , HD830U , HU830U , HD840U , HU840U , HF10N60 , HF12N60 .

History: ASDM3050 | WMQ37N03T1 | RF1S60P03 | 2SK2489 | MEE4298T | SWHA055R03VT | 2SK3888-01MR

 

 

 

 

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