HU70N08 - описание и поиск аналогов

 

HU70N08. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HU70N08

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для HU70N08

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HU70N08 даташит

 ..1. Size:4025K  haolin elec
 hd70n08 hu70n08.pdf pdf_icon

HU70N08

Dec 2006 BVDSS = 80V RDS(on) typ =8.5m HD70N08 / HU70N08 ID = 70 A 80V N -Channel MOSFET TO-252 TO-251 FEATURES Originative New Design HD70N08 HU70N08 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 22 nC (Typ.)

 8.1. Size:708K  feihonltd
 fhu70n03a fhd70n03a.pdf pdf_icon

HU70N08

N N-CHANNEL MOSFET FHU70N03A/FHD70N03A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 68 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 130pF) Low Crss (typical 130pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 7.4m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 10.8m 100% 100% avalanche tested

Другие MOSFET... HU5N50 , HD60N03 , HU60N03 , HD60N75 , HU60N75 , HD60P03 , HU60P03 , HD70N08 , NCEP15T14 , HD830 , HU830 , HD830U , HU830U , HD840U , HU840U , HF10N60 , HF12N60 .

History: BF256A | JMSL0315AP | AOT9N40L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.