HU830 Todos los transistores

 

HU830 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HU830
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 550 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 86 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HU830 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1646K  haolin elec
 hd830 hu830.pdf pdf_icon

HU830

June 2009BVDSS = 550 VRDS(on) typ = 1.5 HD830 / HU830ID = 5 A550V N-Channel MOSFETTO-252 TO-251FEATURES Originative New DesignHD830 HU830 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 15.5 nC (Typ.) Exte

 0.1. Size:3032K  haolin elec
 hd830u hu830u.pdf pdf_icon

HU830

June 2014BVDSS = 550 VRDS(on) typ = 1.1 HD830U / HU830UID = 5.0 A550V N-Channel MOSFETTO-252 TO-251FEATURES Originative New DesignHD830U HU830U Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 15.5 nC (Typ.)

Otros transistores... HU60N03 , HD60N75 , HU60N75 , HD60P03 , HU60P03 , HD70N08 , HU70N08 , HD830 , 20N50 , HD830U , HU830U , HD840U , HU840U , HF10N60 , HF12N60 , HF20N50 , HP20N50 .

 

 
Back to Top

 


 
.