HU830. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: HU830
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 550 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для HU830
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
HU830 даташит
hd830 hu830.pdf
June 2009 BVDSS = 550 V RDS(on) typ = 1.5 HD830 / HU830 ID = 5 A 550V N-Channel MOSFET TO-252 TO-251 FEATURES Originative New Design HD830 HU830 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 15.5 nC (Typ.) Exte
Другие MOSFET... HU60N03 , HD60N75 , HU60N75 , HD60P03 , HU60P03 , HD70N08 , HU70N08 , HD830 , STP80NF70 , HD830U , HU830U , HD840U , HU840U , HF10N60 , HF12N60 , HF20N50 , HP20N50 .
History: 2SK316 | HD840U | SMN03T80F | AP4410M | TK65A10N1 | ME85P03 | IAUC120N04S6N010
History: 2SK316 | HD840U | SMN03T80F | AP4410M | TK65A10N1 | ME85P03 | IAUC120N04S6N010
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement | 2n3905