HD840U Todos los transistores

 

HD840U MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HD840U

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 135 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm

Encapsulados: TO252

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HD840U datasheet

 ..1. Size:2494K  haolin elec
hd840u hu840u.pdf pdf_icon

HD840U

Sep 2011 BVDSS = 500 V RDS(on) typ = 0.75 HD840U/HU840U ID = 8.0 A 500V N-Channel MOSFET TO-251 TO-252 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 25 nC (Typ.) Ex

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History: KIA2906A-220 | HX3400 | MMD65R900QRH | SVF10N65T | RU4N65P | ET8205 | AOWF12N50

 

 

 

 

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