HD840U MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HD840U
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 135 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
Encapsulados: TO252
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HD840U datasheet
hd840u hu840u.pdf
Sep 2011 BVDSS = 500 V RDS(on) typ = 0.75 HD840U/HU840U ID = 8.0 A 500V N-Channel MOSFET TO-251 TO-252 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 25 nC (Typ.) Ex
Otros transistores... HD60P03 , HU60P03 , HD70N08 , HU70N08 , HD830 , HU830 , HD830U , HU830U , AO4407 , HU840U , HF10N60 , HF12N60 , HF20N50 , HP20N50 , HF20N60 , HP20N60 , HF25N50 .
History: KIA2906A-220 | HX3400 | MMD65R900QRH | SVF10N65T | RU4N65P | ET8205 | AOWF12N50
History: KIA2906A-220 | HX3400 | MMD65R900QRH | SVF10N65T | RU4N65P | ET8205 | AOWF12N50
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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