HD840U - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HD840U
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для HD840U
HD840U Datasheet (PDF)
hd840u hu840u.pdf

Sep 2011 BVDSS = 500 V RDS(on) typ = 0.75 HD840U/HU840U ID = 8.0 A 500V N-Channel MOSFET TO-251TO-252FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 25 nC (Typ.) Ex
Другие MOSFET... HD60P03 , HU60P03 , HD70N08 , HU70N08 , HD830 , HU830 , HD830U , HU830U , IRFP450 , HU840U , HF10N60 , HF12N60 , HF20N50 , HP20N50 , HF20N60 , HP20N60 , HF25N50 .
History: PSMN6R1-30YLD | PS05N20DA | ST1005SRG | SSFM2506L | JCS3205SH | SVF4N65RMJ | SI4126DY
History: PSMN6R1-30YLD | PS05N20DA | ST1005SRG | SSFM2506L | JCS3205SH | SVF4N65RMJ | SI4126DY



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320