HP640 Todos los transistores

 

HP640 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HP640
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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HP640 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2923K  haolin elec
 hf640 hp640.pdf pdf_icon

HP640

HF640,HP640200V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingHF640 TO-220F HF640HP640 TO-220 HP640Absolute Maximum Ratings TC = 25C, unles

 0.1. Size:869K  feihonltd
 fhp640a.pdf pdf_icon

HP640

N N-CHANNEL MOSFET FHP640A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 18A Low gate charge VDSS 200V Crss ( 26pF) Low Crss (typical 26pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.125 Fast switching Qg-typ 20nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/dt

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History: 2SJ661-DL-E

 

 
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