HP640 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HP640

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: TO220

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HP640 datasheet

 ..1. Size:2923K  haolin elec
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HP640

HF640,HP640 200V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking HF640 TO-220F HF640 HP640 TO-220 HP640 Absolute Maximum Ratings TC = 25 C, unles

 0.1. Size:869K  feihonltd
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HP640

N N-CHANNEL MOSFET FHP640A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 18A Low gate charge VDSS 200V Crss ( 26pF) Low Crss (typical 26pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.125 Fast switching Qg-typ 20nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/dt

Otros transistores... HF20N50, HP20N50, HF20N60, HP20N60, HF25N50, HP25N50, HF5N65, HF640, 20N50, HFS13N50, HP120N04, HP16N10, HF16N10, HP60N75, HP80N80, HY029N10P, HY029N10B