Справочник MOSFET. HP640

 

HP640 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HP640
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HP640

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HP640 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2923K  haolin elec
 hf640 hp640.pdf pdf_icon

HP640

HF640,HP640200V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingHF640 TO-220F HF640HP640 TO-220 HP640Absolute Maximum Ratings TC = 25C, unles

 0.1. Size:869K  feihonltd
 fhp640a.pdf pdf_icon

HP640

N N-CHANNEL MOSFET FHP640A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 18A Low gate charge VDSS 200V Crss ( 26pF) Low Crss (typical 26pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.125 Fast switching Qg-typ 20nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/dt

Другие MOSFET... HF20N50 , HP20N50 , HF20N60 , HP20N60 , HF25N50 , HP25N50 , HF5N65 , HF640 , 2N60 , HFS13N50 , HP120N04 , HP16N10 , HF16N10 , HP60N75 , HP80N80 , HY029N10P , HY029N10B .

History: DH009N02F | HAF2007L | RSS100N03FU6TB

 

 
Back to Top

 


 
.