HP640 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HP640
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для HP640
HP640 Datasheet (PDF)
hf640 hp640.pdf

HF640,HP640200V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingHF640 TO-220F HF640HP640 TO-220 HP640Absolute Maximum Ratings TC = 25C, unles
fhp640a.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHP640A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 18A Low gate charge VDSS 200V Crss ( 26pF) Low Crss (typical 26pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.125 Fast switching Qg-typ 20nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/dt
Другие MOSFET... HF20N50 , HP20N50 , HF20N60 , HP20N60 , HF25N50 , HP25N50 , HF5N65 , HF640 , IRF530 , HFS13N50 , HP120N04 , HP16N10 , HF16N10 , HP60N75 , HP80N80 , HY029N10P , HY029N10B .
History: KD2301 | TSM7N60CI | 2SK2849S | SVF31N30CSTR | D5N65-XAD | IPB240N04S4-R9 | AP9980GJ-HF
History: KD2301 | TSM7N60CI | 2SK2849S | SVF31N30CSTR | D5N65-XAD | IPB240N04S4-R9 | AP9980GJ-HF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sa726 | 2sd313 | 2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035