HP120N04 Todos los transistores

 

HP120N04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HP120N04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 485 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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HP120N04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4648K  haolin elec
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HP120N04

HP120N04 N-Channel Trench Power MOSFET General Description The HP120N04 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching . Features VDS=40V; ID=120A@ VGS=10V; RDS(ON)

 7.1. Size:802K  feihonltd
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HP120N04

N N-CHANNEL MOSFET FHP120N08D MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 120 A Low gate charge VDSS 80 V Crss ( 190pF) Low Crss (typical 190pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 6.0 m Fast switching Qg-typ 60nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improve

 8.1. Size:124K  vishay
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HP120N04

SiHP120N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESD 4th generation E series technologyTO-220AB Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low effective capacitance (Co(er))G Reduced switching and conduction losses Avalanche energy rated (UIS)S Material categorization: for definitions of compliance DS please see www.vishay.com/doc?999

Otros transistores... HF20N60 , HP20N60 , HF25N50 , HP25N50 , HF5N65 , HF640 , HP640 , HFS13N50 , IRFB31N20D , HP16N10 , HF16N10 , HP60N75 , HP80N80 , HY029N10P , HY029N10B , HY030N06C2 , HY045N10P .

History: PHD9NQ20T | LNC06R230 | FHU2N60A | BUK9Y30-75B

 

 
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