HP120N04 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HP120N04
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 147 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 91 nC
Время нарастания (tr): 33 ns
Выходная емкость (Cd): 485 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.004 Ohm
Тип корпуса: TO220
HP120N04 Datasheet (PDF)
hp120n04.pdf
HP120N04 N-Channel Trench Power MOSFET General Description The HP120N04 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching . Features VDS=40V; ID=120A@ VGS=10V; RDS(ON)
fhp120n08d.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHP120N08D MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 120 A Low gate charge VDSS 80 V Crss ( 190pF) Low Crss (typical 190pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 6.0 m Fast switching Qg-typ 60nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improve
sihp120n60e.pdf
SiHP120N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESD 4th generation E series technologyTO-220AB Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low effective capacitance (Co(er))G Reduced switching and conduction losses Avalanche energy rated (UIS)S Material categorization: for definitions of compliance DS please see www.vishay.com/doc?999
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
