HP60N75 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HP60N75
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 252 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HP60N75

HP60N75 Datasheet (PDF)

..1. Size:927K haolin elec
hp60n75.pdf

July 2005BVDSS = 70 VRDS(on) = 18 mHP60N75ID = 60 A70V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design 123 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 40 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 0.0

9.1. Size:52K philips
php60n06t 1.pdf

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP60N06T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 55 Vtrench technology. The device ID Drain current (DC) 58 Afeatures very low on-state r

9.2. Size:58K philips
php60n06lt 2.pdf

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP60N06LT, PHB60N06LT Logic level FETFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 55 Vd Very low on-state resistance Fast switching ID = 58 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 20 m (VGS = 5 V)g Low thermal resistance

9.3. Size:70K philips
php60n06lt phb60n06lt.pdf

9.4. Size:808K feihonltd
fhp60n06b.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHP60N06B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 60 A Low gate charge VDSS 60 V Crss ( 200pF) Low Crss (typical 200pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 18m Fast switching Qg-typ 27nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv

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Liste

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