Справочник MOSFET. HP60N75

 

HP60N75 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HP60N75
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 252 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для HP60N75

 

 

HP60N75 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:927K  haolin elec
 hp60n75.pdf

HP60N75 HP60N75

July 2005BVDSS = 70 VRDS(on) = 18 mHP60N75ID = 60 A70V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design 123 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 40 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 0.0

 9.1. Size:52K  philips
 php60n06t 1.pdf

HP60N75 HP60N75

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP60N06T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 55 Vtrench technology. The device ID Drain current (DC) 58 Afeatures very low on-state r

 9.2. Size:58K  philips
 php60n06lt 2.pdf

HP60N75 HP60N75

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP60N06LT, PHB60N06LT Logic level FETFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 55 Vd Very low on-state resistance Fast switching ID = 58 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 20 m (VGS = 5 V)g Low thermal resistance

 9.3. Size:70K  philips
 php60n06lt phb60n06lt.pdf

HP60N75 HP60N75

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP60N06LT, PHB60N06LT Logic level FETFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 55 Vd Very low on-state resistance Fast switching ID = 58 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 20 m (VGS = 5 V)g Low thermal resistance

 9.4. Size:808K  feihonltd
 fhp60n06b.pdf

HP60N75 HP60N75

N N-CHANNEL MOSFET FHP60N06B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 60 A Low gate charge VDSS 60 V Crss ( 200pF) Low Crss (typical 200pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 18m Fast switching Qg-typ 27nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HMS21N65

 

 
Back to Top