HP60N75 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HP60N75

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 70 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 252 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HP60N75

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HP60N75 даташит

 ..1. Size:927K  haolin elec
 hp60n75.pdf pdf_icon

HP60N75

July 2005 BVDSS = 70 V RDS(on) = 18 m HP60N75 ID = 60 A 70V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design 1 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 40 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 0.0

 9.1. Size:52K  philips
 php60n06t 1.pdf pdf_icon

HP60N75

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP60N06T Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 55 V trench technology. The device ID Drain current (DC) 58 A features very low on-state r

 9.2. Size:58K  philips
 php60n06lt 2.pdf pdf_icon

HP60N75

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP60N06LT, PHB60N06LT Logic level FET FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 55 V d Very low on-state resistance Fast switching ID = 58 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 20 m (VGS = 5 V) g Low thermal resistance

 9.3. Size:70K  philips
 php60n06lt phb60n06lt.pdf pdf_icon

HP60N75

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP60N06LT, PHB60N06LT Logic level FET FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 55 V d Very low on-state resistance Fast switching ID = 58 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 20 m (VGS = 5 V) g Low thermal resistance

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HP25N50, HF5N65, HF640, HP640, HFS13N50, HP120N04, HP16N10, HF16N10, 2N60, HP80N80, HY029N10P, HY029N10B, HY030N06C2, HY045N10P, HY045N10B, HY050N08C2, HY050N08P