HP80N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HP80N80
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 250 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 75 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.5 V
Carga de la puerta (Qg): 80 nC
Tiempo de subida (tr): 18 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 400 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HP80N80
HP80N80 Datasheet (PDF)
hp80n80.pdf
HP80N80 N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS=80V RDS(ON), Vgs@10V,Ids@40A = 6m FEATURES Minimize input capacitance and gate charge Specially designed for DC/DC converters and DC motor control PIN CONFIGURATION (TO-220) Top View Absolute Maximum Ratings (TA=25 Unless Otherwise Noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDSS 80 V Gate-Source Voltage VG
php80n06t 1.pdf
Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP80N06T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 55 Vtrench technology. The device ID Drain current (DC)1 75 Afeatures very low on-state
php80n06lt 2.pdf
Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP80N06LT, PHB80N06LT Logic level FETFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 55 Vd Very low on-state resistance Fast switching ID = 75 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 14 m (VGS = 5 V)g Low thermal resistance
fhp80n07b.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHP80N07B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 80 A Low gate charge VDSS 63 V Crss ( 180pF) Low Crss (typical 180pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 6.3m Fast switching Qg-typ 57nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved d
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
