HP80N80 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HP80N80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HP80N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HP80N80 даташит

 ..1. Size:2590K  haolin elec
 hp80n80.pdf pdf_icon

HP80N80

HP80N80 N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS=80V RDS(ON), Vgs@10V,Ids@40A = 6m FEATURES Minimize input capacitance and gate charge Specially designed for DC/DC converters and DC motor control PIN CONFIGURATION (TO-220) Top View Absolute Maximum Ratings (TA=25 Unless Otherwise Noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDSS 80 V Gate-Source Voltage VG

 9.1. Size:53K  philips
 php80n06t 1.pdf pdf_icon

HP80N80

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP80N06T Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 55 V trench technology. The device ID Drain current (DC)1 75 A features very low on-state

 9.2. Size:59K  philips
 php80n06lt 2.pdf pdf_icon

HP80N80

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP80N06LT, PHB80N06LT Logic level FET FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 55 V d Very low on-state resistance Fast switching ID = 75 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 14 m (VGS = 5 V) g Low thermal resistance

 9.3. Size:277K  feihonltd
 fhp80n08a.pdf pdf_icon

HP80N80

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HF5N65, HF640, HP640, HFS13N50, HP120N04, HP16N10, HF16N10, HP60N75, 8N60, HY029N10P, HY029N10B, HY030N06C2, HY045N10P, HY045N10B, HY050N08C2, HY050N08P, HY050N08B