HY029N10P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY029N10P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 394.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 270 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1624 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm

Encapsulados: TO220

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HY029N10P datasheet

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HY029N10P

HY029N10P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 100V/270A RDS(ON)=2.6m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Power Switching application Uninterruptible Power Supply N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package

Otros transistores... HF640, HP640, HFS13N50, HP120N04, HP16N10, HF16N10, HP60N75, HP80N80, P60NF06, HY029N10B, HY030N06C2, HY045N10P, HY045N10B, HY050N08C2, HY050N08P, HY050N08B, HY0810S