Справочник MOSFET. HY029N10P

 

HY029N10P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY029N10P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 394.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 270 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1624 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HY029N10P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY029N10P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1357K  hymexa
 hy029n10p hy029n10b.pdf pdf_icon

HY029N10P

HY029N10P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 100V/270ARDS(ON)=2.6m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Power Switching application Uninterruptible Power SupplyN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage

Другие MOSFET... HF640 , HP640 , HFS13N50 , HP120N04 , HP16N10 , HF16N10 , HP60N75 , HP80N80 , AO3401 , HY029N10B , HY030N06C2 , HY045N10P , HY045N10B , HY050N08C2 , HY050N08P , HY050N08B , HY0810S .

History: PSMN011-80YS | ME2323D | IXFN60N80P | AON6910A | HY4903B6 | KMB3D0P30SA | SSU2N60B

 

 
Back to Top

 


 
.