HY029N10B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HY029N10B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 394.7 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 270 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 148.7 nC
   Tiempo de subida (tr): 30 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1624 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0033 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

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HY029N10B Datasheet (PDF)

..1. Size:1357K hymexa
hy029n10p hy029n10b.pdf

HY029N10P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 100V/270ARDS(ON)=2.6m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Power Switching application Uninterruptible Power SupplyN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SFB070N150C3

Liste

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