HY029N10B Todos los transistores

 

HY029N10B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY029N10B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 394.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 270 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1624 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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HY029N10B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1357K  hymexa
 hy029n10p hy029n10b.pdf pdf_icon

HY029N10B

HY029N10P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 100V/270ARDS(ON)=2.6m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Power Switching application Uninterruptible Power SupplyN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage

Otros transistores... HP640 , HFS13N50 , HP120N04 , HP16N10 , HF16N10 , HP60N75 , HP80N80 , HY029N10P , IRF520 , HY030N06C2 , HY045N10P , HY045N10B , HY050N08C2 , HY050N08P , HY050N08B , HY0810S , HY0910D .

History: SWF4N80D | RFG40N10 | HF16N10 | SWF6N60K | CS20N50A8H | VN0606L

 

 
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