HY029N10B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HY029N10B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 394.7 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 270 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 148.7 nC
Время нарастания (tr): 30 ns
Выходная емкость (Cd): 1624 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0033 Ohm
Тип корпуса: TO263
HY029N10B Datasheet (PDF)
..1. Size:1357K hymexa
hy029n10p hy029n10b.pdf
hy029n10p hy029n10b.pdf
HY029N10P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 100V/270ARDS(ON)=2.6m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Power Switching application Uninterruptible Power SupplyN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
