HY029N10B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY029N10B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 394.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 270 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1624 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для HY029N10B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY029N10B даташит

 ..1. Size:1357K  hymexa
 hy029n10p hy029n10b.pdf pdf_icon

HY029N10B

HY029N10P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 100V/270A RDS(ON)=2.6m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Power Switching application Uninterruptible Power Supply N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package

Другие IGBT... HP640, HFS13N50, HP120N04, HP16N10, HF16N10, HP60N75, HP80N80, HY029N10P, 75N75, HY030N06C2, HY045N10P, HY045N10B, HY050N08C2, HY050N08P, HY050N08B, HY0810S, HY0910D