HY030N06C2 Todos los transistores

 

HY030N06C2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY030N06C2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2359 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm
   Paquete / Cubierta: PPAK5X6-8L
 

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HY030N06C2 Datasheet (PDF)

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HY030N06C2

HY030N06C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 65V/100AD D D D D D D DRDS(ON)= 2.4 m(typ.)@VGS = 10VRDS(ON)= 3.7 m(typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S SPin1 PPAK5*6-8L Applications Hard switched and high frequency circuits Power switching applicati

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HY030N06C2

HY030N06C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 65V/100AD D D D D D D DRDS(ON)= 2.4 m(typ.)@VGS = 10VRDS(ON)= 3.7 m(typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S SPin1 PPAK5*6-8L Applications Hard switched and high frequency circuits Power switching applicati

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