HY030N06C2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY030N06C2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 65 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2359 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm

Encapsulados: PPAK5X6-8L

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HY030N06C2 datasheet

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HY030N06C2

HY030N06C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 65V/100A D D D D D D D D RDS(ON)= 2.4 m (typ.)@VGS = 10V RDS(ON)= 3.7 m (typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available S S S G G S S S Pin1 PPAK5*6-8L Applications Hard switched and high frequency circuits Power switching applicati

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HY030N06C2

HY030N06C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 65V/100A D D D D D D D D RDS(ON)= 2.4 m (typ.)@VGS = 10V RDS(ON)= 3.7 m (typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available S S S G G S S S Pin1 PPAK5*6-8L Applications Hard switched and high frequency circuits Power switching applicati

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