Справочник MOSFET. HY030N06C2

 

HY030N06C2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY030N06C2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2359 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
   Тип корпуса: PPAK5X6-8L
 

 Аналог (замена) для HY030N06C2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY030N06C2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:823K  1
 hy030n06c2.pdf pdf_icon

HY030N06C2

HY030N06C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 65V/100AD D D D D D D DRDS(ON)= 2.4 m(typ.)@VGS = 10VRDS(ON)= 3.7 m(typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S SPin1 PPAK5*6-8L Applications Hard switched and high frequency circuits Power switching applicati

 ..2. Size:823K  hymexa
 hy030n06c2.pdf pdf_icon

HY030N06C2

HY030N06C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 65V/100AD D D D D D D DRDS(ON)= 2.4 m(typ.)@VGS = 10VRDS(ON)= 3.7 m(typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S SPin1 PPAK5*6-8L Applications Hard switched and high frequency circuits Power switching applicati

Другие MOSFET... HFS13N50 , HP120N04 , HP16N10 , HF16N10 , HP60N75 , HP80N80 , HY029N10P , HY029N10B , RU6888R , HY045N10P , HY045N10B , HY050N08C2 , HY050N08P , HY050N08B , HY0810S , HY0910D , HY0910U .

History: AFN2604 | FDMS8670AS | TPB60R580C | TF3402 | IRFS821 | FS5KM-9 | 2SK4075B

 

 
Back to Top

 


 
.