HY030N06C2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HY030N06C2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2359 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
Тип корпуса: PPAK5X6-8L
Аналог (замена) для HY030N06C2
HY030N06C2 Datasheet (PDF)
hy030n06c2.pdf
HY030N06C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 65V/100AD D D D D D D DRDS(ON)= 2.4 m(typ.)@VGS = 10VRDS(ON)= 3.7 m(typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S SPin1 PPAK5*6-8L Applications Hard switched and high frequency circuits Power switching applicati
hy030n06c2.pdf
HY030N06C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 65V/100AD D D D D D D DRDS(ON)= 2.4 m(typ.)@VGS = 10VRDS(ON)= 3.7 m(typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S SPin1 PPAK5*6-8L Applications Hard switched and high frequency circuits Power switching applicati
Другие MOSFET... HFS13N50 , HP120N04 , HP16N10 , HF16N10 , HP60N75 , HP80N80 , HY029N10P , HY029N10B , AO3400A , HY045N10P , HY045N10B , HY050N08C2 , HY050N08P , HY050N08B , HY0810S , HY0910D , HY0910U .
History: QM2415SN8 | 2SK2461 | VS3622AA | HY050N08B
History: QM2415SN8 | 2SK2461 | VS3622AA | HY050N08B
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM608C | AGM6080D | AGM6080C | AGM6070A | AGM606S | AGM605Q | AGM605F | AGM605C | AGM605A | AGM603F | AGM603D | AGM603C | AGM6035F | AGM6035A | AGM602C | AGM40P75D
Popular searches
bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115