HY030N06C2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY030N06C2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 65 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2359 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm

Тип корпуса: PPAK5X6-8L

Аналог (замена) для HY030N06C2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY030N06C2 даташит

 ..1. Size:823K  1
 hy030n06c2.pdf pdf_icon

HY030N06C2

HY030N06C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 65V/100A D D D D D D D D RDS(ON)= 2.4 m (typ.)@VGS = 10V RDS(ON)= 3.7 m (typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available S S S G G S S S Pin1 PPAK5*6-8L Applications Hard switched and high frequency circuits Power switching applicati

 ..2. Size:823K  hymexa
 hy030n06c2.pdf pdf_icon

HY030N06C2

HY030N06C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 65V/100A D D D D D D D D RDS(ON)= 2.4 m (typ.)@VGS = 10V RDS(ON)= 3.7 m (typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available S S S G G S S S Pin1 PPAK5*6-8L Applications Hard switched and high frequency circuits Power switching applicati

Другие IGBT... HFS13N50, HP120N04, HP16N10, HF16N10, HP60N75, HP80N80, HY029N10P, HY029N10B, AO3400A, HY045N10P, HY045N10B, HY050N08C2, HY050N08P, HY050N08B, HY0810S, HY0910D, HY0910U