HY045N10P Todos los transistores

 

HY045N10P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY045N10P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 221 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2842 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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HY045N10P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1574K  hymexa
 hy045n10p hy045n10b.pdf pdf_icon

HY045N10P

HY045N10P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 100V/120ARDS(ON)= 4.2m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Switch application DC/DC ConverterN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage CodeP:T

Otros transistores... HP120N04 , HP16N10 , HF16N10 , HP60N75 , HP80N80 , HY029N10P , HY029N10B , HY030N06C2 , IRF730 , HY045N10B , HY050N08C2 , HY050N08P , HY050N08B , HY0810S , HY0910D , HY0910U , HY0910V .

History: GP2M002A060XG | SI7682DP

 

 
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