HY045N10P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HY045N10P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 221 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 67.5 nC
Tiempo de subida (tr): 34 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2842 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.005 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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HY045N10P Datasheet (PDF)
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hy045n10p hy045n10b.pdf
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HY045N10P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 100V/120ARDS(ON)= 4.2m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Switch application DC/DC ConverterN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage CodeP:T
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