HY045N10P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY045N10P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 221 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2842 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HY045N10P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY045N10P даташит

 ..1. Size:1574K  hymexa
 hy045n10p hy045n10b.pdf pdf_icon

HY045N10P

HY045N10P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 100V/120A RDS(ON)= 4.2m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switch application DC/DC Converter N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package Code P T

Другие IGBT... HP120N04, HP16N10, HF16N10, HP60N75, HP80N80, HY029N10P, HY029N10B, HY030N06C2, IRFB31N20D, HY045N10B, HY050N08C2, HY050N08P, HY050N08B, HY0810S, HY0910D, HY0910U, HY0910V