HY045N10B Todos los transistores

 

HY045N10B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY045N10B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 221 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2842 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET HY045N10B

 

HY045N10B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1574K  hymexa
hy045n10p hy045n10b.pdf

HY045N10B
HY045N10B

HY045N10P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 100V/120ARDS(ON)= 4.2m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Switch application DC/DC ConverterN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage CodeP:T

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


HY045N10B
  HY045N10B
  HY045N10B
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918

 

 

 
Back to Top