HY045N10B Todos los transistores

 

HY045N10B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY045N10B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 221 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2842 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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HY045N10B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1574K  hymexa
 hy045n10p hy045n10b.pdf pdf_icon

HY045N10B

HY045N10P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 100V/120ARDS(ON)= 4.2m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Switch application DC/DC ConverterN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage CodeP:T

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History: OSG60R074FSZF | IPP048N06 | AP9465BGJ | AFP4435S | MTB20N06J3 | 2SK3352K | OSG60R070HF

 

 
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