Справочник MOSFET. HY045N10B

 

HY045N10B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY045N10B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 221 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2842 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для HY045N10B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY045N10B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1574K  hymexa
 hy045n10p hy045n10b.pdf pdf_icon

HY045N10B

HY045N10P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 100V/120ARDS(ON)= 4.2m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Switch application DC/DC ConverterN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage CodeP:T

Другие MOSFET... HP16N10 , HF16N10 , HP60N75 , HP80N80 , HY029N10P , HY029N10B , HY030N06C2 , HY045N10P , IRFZ48N , HY050N08C2 , HY050N08P , HY050N08B , HY0810S , HY0910D , HY0910U , HY0910V , HY0C20C .

History: IXFH21N50F | SUP18N15-95 | SDF10N60

 

 
Back to Top

 


 
.