HY050N08C2 Todos los transistores

 

HY050N08C2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY050N08C2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1850 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm
   Paquete / Cubierta: PPAK5X6-8L
 

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HY050N08C2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1288K  hymexa
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HY050N08C2

HY050N08C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin DescriptionS S S GD D D D 80V/80ARDS(ON)= 5.2m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available(RoHS Compliant)S S S G D D D DPPAK5*6-8LPin1Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Power Tool Application Netwo

 6.1. Size:883K  hymexa
 hy050n08p hy050n08b.pdf pdf_icon

HY050N08C2

HY050N08P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 85V/105ARDS(ON)= 4.7m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche TestedSDG Reliable and RuggedSD Lead Free and Green Devices Available G(RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Switch application DC/DC ConverterOrdering and Marking Information Package Code P B P:TO-220FB-

Otros transistores... HF16N10 , HP60N75 , HP80N80 , HY029N10P , HY029N10B , HY030N06C2 , HY045N10P , HY045N10B , IRF9640 , HY050N08P , HY050N08B , HY0810S , HY0910D , HY0910U , HY0910V , HY0C20C , HY10P10D .

History: STW36NM60ND | AP80T10AGP-HF | MSAER38N10A | AP9466GH | SRM10N60TF | RU30231R | IXFE24N100

 

 
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