Справочник MOSFET. HY050N08C2

 

HY050N08C2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY050N08C2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1850 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
   Тип корпуса: PPAK5X6-8L
 

 Аналог (замена) для HY050N08C2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY050N08C2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1288K  hymexa
 hy050n08c2.pdf pdf_icon

HY050N08C2

HY050N08C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin DescriptionS S S GD D D D 80V/80ARDS(ON)= 5.2m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available(RoHS Compliant)S S S G D D D DPPAK5*6-8LPin1Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Power Tool Application Netwo

 6.1. Size:883K  hymexa
 hy050n08p hy050n08b.pdf pdf_icon

HY050N08C2

HY050N08P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 85V/105ARDS(ON)= 4.7m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche TestedSDG Reliable and RuggedSD Lead Free and Green Devices Available G(RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Switch application DC/DC ConverterOrdering and Marking Information Package Code P B P:TO-220FB-

Другие MOSFET... HF16N10 , HP60N75 , HP80N80 , HY029N10P , HY029N10B , HY030N06C2 , HY045N10P , HY045N10B , NCEP15T14 , HY050N08P , HY050N08B , HY0810S , HY0910D , HY0910U , HY0910V , HY0C20C , HY10P10D .

History: SFF50N30Z | NDD60N360U1 | FTK640P | IRF7603PBF | IRF3717PBF-1 | OSG65R650P | DMN5L06K

 

 
Back to Top

 


 
.