HY050N08B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY050N08B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 166 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 85 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 105 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1649 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm

Encapsulados: TO263

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HY050N08B datasheet

 ..1. Size:883K  hymexa
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HY050N08B

HY050N08P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 85V/105A RDS(ON)= 4.7m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested S D G Reliable and Rugged S D Lead Free and Green Devices Available G (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switch application DC/DC Converter Ordering and Marking Information Package Code P B P TO-220FB-

 6.1. Size:1288K  hymexa
 hy050n08c2.pdf pdf_icon

HY050N08B

HY050N08C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description S S S G D D D D 80V/80A RDS(ON)= 5.2m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available (RoHS Compliant) S S S G D D D D PPAK5*6-8L Pin1 Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Power Tool Application Netwo

Otros transistores... HP80N80, HY029N10P, HY029N10B, HY030N06C2, HY045N10P, HY045N10B, HY050N08C2, HY050N08P, IRFZ48N, HY0810S, HY0910D, HY0910U, HY0910V, HY0C20C, HY10P10D, HY10P10U, HY1103S