Справочник MOSFET. HY050N08B

 

HY050N08B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY050N08B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 105 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1649 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HY050N08B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:883K  hymexa
 hy050n08p hy050n08b.pdf pdf_icon

HY050N08B

HY050N08P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 85V/105ARDS(ON)= 4.7m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche TestedSDG Reliable and RuggedSD Lead Free and Green Devices Available G(RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Switch application DC/DC ConverterOrdering and Marking Information Package Code P B P:TO-220FB-

 6.1. Size:1288K  hymexa
 hy050n08c2.pdf pdf_icon

HY050N08B

HY050N08C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin DescriptionS S S GD D D D 80V/80ARDS(ON)= 5.2m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available(RoHS Compliant)S S S G D D D DPPAK5*6-8LPin1Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Power Tool Application Netwo

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: CEP06N7 | IRF7503 | NP32N055SHE | AO6401A | NTMFS5H630NL | 2SJ211 | TSM3460CX6

 

 
Back to Top

 


 
.