HY0C20C Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY0C20C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: DFN6L

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HY0C20C datasheet

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HY0C20C

HY0C20C Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 20V/ 12A G2 S2 S2 RDS(ON)= 9 m (typ.) @ VGS=4.5V RDS(ON)= 11.5 m (typ.) @ VGS=2.5V D1/D2 High Cell Desity for low Rds(on) ESD Rating 2000V HBM Halogen Device Available G1 S1 S1 DFN6L(0203) Bottom Drain Contact G1 3 4 G2 Applications 2 5 S1 S2 Battery pack protection S1 1 6 S2 Power too

Otros transistores... HY045N10B, HY050N08C2, HY050N08P, HY050N08B, HY0810S, HY0910D, HY0910U, HY0910V, IRFB7545, HY10P10D, HY10P10U, HY1103S, HY1106S, HY1203S, HY1210D, HY1210U, HY1210V