HY0C20C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HY0C20C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN6L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HY0C20C

HY0C20C Datasheet (PDF)

..1. Size:8503K hymexa
hy0c20c.pdf

HY0C20CDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 20V/ 12AG2 S2 S2RDS(ON)= 9 m (typ.) @ VGS=4.5VRDS(ON)= 11.5 m (typ.) @ VGS=2.5VD1/D2 High Cell Desity for low Rds(on) ESD Rating:2000V HBMHalogen Device AvailableG1 S1 S1DFN6L(0203)Bottom Drain ContactG1 3 4 G2Applications2 5S1 S2 Battery pack protectionS1 1 6 S2 Power too

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: