HY0C20C Todos los transistores

 

HY0C20C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY0C20C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN6L
 

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HY0C20C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:8503K  hymexa
 hy0c20c.pdf pdf_icon

HY0C20C

HY0C20CDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 20V/ 12AG2 S2 S2RDS(ON)= 9 m (typ.) @ VGS=4.5VRDS(ON)= 11.5 m (typ.) @ VGS=2.5VD1/D2 High Cell Desity for low Rds(on) ESD Rating:2000V HBMHalogen Device AvailableG1 S1 S1DFN6L(0203)Bottom Drain ContactG1 3 4 G2Applications2 5S1 S2 Battery pack protectionS1 1 6 S2 Power too

Otros transistores... HY045N10B , HY050N08C2 , HY050N08P , HY050N08B , HY0810S , HY0910D , HY0910U , HY0910V , IRFB7545 , HY10P10D , HY10P10U , HY1103S , HY1106S , HY1203S , HY1210D , HY1210U , HY1210V .

History: HY050N08B | 2SK2461 | HY029N10B

 

 
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