HY0C20C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY0C20C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: DFN6L

Аналог (замена) для HY0C20C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY0C20C даташит

 ..1. Size:8503K  hymexa
 hy0c20c.pdf pdf_icon

HY0C20C

HY0C20C Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 20V/ 12A G2 S2 S2 RDS(ON)= 9 m (typ.) @ VGS=4.5V RDS(ON)= 11.5 m (typ.) @ VGS=2.5V D1/D2 High Cell Desity for low Rds(on) ESD Rating 2000V HBM Halogen Device Available G1 S1 S1 DFN6L(0203) Bottom Drain Contact G1 3 4 G2 Applications 2 5 S1 S2 Battery pack protection S1 1 6 S2 Power too

Другие IGBT... HY045N10B, HY050N08C2, HY050N08P, HY050N08B, HY0810S, HY0910D, HY0910U, HY0910V, IRFB7545, HY10P10D, HY10P10U, HY1103S, HY1106S, HY1203S, HY1210D, HY1210U, HY1210V