Справочник MOSFET. HY0C20C

 

HY0C20C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY0C20C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: DFN6L
 

 Аналог (замена) для HY0C20C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY0C20C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:8503K  hymexa
 hy0c20c.pdf pdf_icon

HY0C20C

HY0C20CDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 20V/ 12AG2 S2 S2RDS(ON)= 9 m (typ.) @ VGS=4.5VRDS(ON)= 11.5 m (typ.) @ VGS=2.5VD1/D2 High Cell Desity for low Rds(on) ESD Rating:2000V HBMHalogen Device AvailableG1 S1 S1DFN6L(0203)Bottom Drain ContactG1 3 4 G2Applications2 5S1 S2 Battery pack protectionS1 1 6 S2 Power too

Другие MOSFET... HY045N10B , HY050N08C2 , HY050N08P , HY050N08B , HY0810S , HY0910D , HY0910U , HY0910V , 8N60 , HY10P10D , HY10P10U , HY1103S , HY1106S , HY1203S , HY1210D , HY1210U , HY1210V .

History: PMPB30XPE | HGP115N15S | NCEAP035N85GU | SSF13N50 | TSA100N20M | NTMFS4C09NT1G | AFN3006S

 

 
Back to Top

 


 
.