Справочник MOSFET. HY0C20C

 

HY0C20C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY0C20C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: DFN6L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HY0C20C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:8503K  hymexa
 hy0c20c.pdf pdf_icon

HY0C20C

HY0C20CDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 20V/ 12AG2 S2 S2RDS(ON)= 9 m (typ.) @ VGS=4.5VRDS(ON)= 11.5 m (typ.) @ VGS=2.5VD1/D2 High Cell Desity for low Rds(on) ESD Rating:2000V HBMHalogen Device AvailableG1 S1 S1DFN6L(0203)Bottom Drain ContactG1 3 4 G2Applications2 5S1 S2 Battery pack protectionS1 1 6 S2 Power too

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: SQM110N10-09 | STP3N100FI | SSF6N70G | TK49N65W | MTN7N60E3 | STY139N65M5 | 2SK3788-01

 

 
Back to Top

 


 
.