HY10P10D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HY10P10D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 31.3 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 30 nC
Tiempo de subida (tr): 25 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 340 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.225 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HY10P10D
HY10P10D Datasheet (PDF)
..1. Size:2311K hymexa
hy10p10d hy10p10u.pdf
hy10p10d hy10p10u.pdf
HY10P10D/UP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description -100V/-10ARDS(ON)= 187m(typ.)@VGS = -10VRDS(ON)= 208m(typ.)@VGS = -4.5V 100% Avalanche TestedS Reliable and RuggedDG Halogen Free and Green Devices AvailableSD(RoHS Compliant)GTO-252-2L TO-251-3LApplications Power Management for Inverter SystemsP-Channel MOSFETOrdering a
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
