HY10P10D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HY10P10D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.225 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HY10P10D

HY10P10D Datasheet (PDF)

..1. Size:2311K hymexa
hy10p10d hy10p10u.pdf

HY10P10D/UP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description -100V/-10ARDS(ON)= 187m(typ.)@VGS = -10VRDS(ON)= 208m(typ.)@VGS = -4.5V 100% Avalanche TestedS Reliable and RuggedDG Halogen Free and Green Devices AvailableSD(RoHS Compliant)GTO-252-2L TO-251-3LApplications Power Management for Inverter SystemsP-Channel MOSFETOrdering a

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: