HY10P10D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY10P10D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.225 Ohm

Encapsulados: TO252

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HY10P10D datasheet

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HY10P10D

HY10P10D/U P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description -100V/-10A RDS(ON)= 187m (typ.)@VGS = -10V RDS(ON)= 208m (typ.)@VGS = -4.5V 100% Avalanche Tested S Reliable and Rugged D G Halogen Free and Green Devices Available S D (RoHS Compliant) G TO-252-2L TO-251-3L Applications Power Management for Inverter Systems P-Channel MOSFET Ordering a

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