HY10P10D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HY10P10D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31.3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 30 nC
Время нарастания (tr): 25 ns
Выходная емкость (Cd): 340 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.225 Ohm
Тип корпуса: TO252
HY10P10D Datasheet (PDF)
..1. Size:2311K hymexa
hy10p10d hy10p10u.pdf
hy10p10d hy10p10u.pdf
HY10P10D/UP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description -100V/-10ARDS(ON)= 187m(typ.)@VGS = -10VRDS(ON)= 208m(typ.)@VGS = -4.5V 100% Avalanche TestedS Reliable and RuggedDG Halogen Free and Green Devices AvailableSD(RoHS Compliant)GTO-252-2L TO-251-3LApplications Power Management for Inverter SystemsP-Channel MOSFETOrdering a
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
