Справочник MOSFET. HY10P10D

 

HY10P10D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY10P10D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.225 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для HY10P10D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY10P10D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2311K  hymexa
 hy10p10d hy10p10u.pdf pdf_icon

HY10P10D

HY10P10D/UP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description -100V/-10ARDS(ON)= 187m(typ.)@VGS = -10VRDS(ON)= 208m(typ.)@VGS = -4.5V 100% Avalanche TestedS Reliable and RuggedDG Halogen Free and Green Devices AvailableSD(RoHS Compliant)GTO-252-2L TO-251-3LApplications Power Management for Inverter SystemsP-Channel MOSFETOrdering a

Другие MOSFET... HY050N08C2 , HY050N08P , HY050N08B , HY0810S , HY0910D , HY0910U , HY0910V , HY0C20C , EMB04N03H , HY10P10U , HY1103S , HY1106S , HY1203S , HY1210D , HY1210U , HY1210V , HY12P03C2 .

History: CS6661 | 2SK1733 | SVG104R5NS6TR | 6N80G-TF3-T | VS6018BS | NVTR4502P

 

 
Back to Top

 


 
.