HY10P10D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY10P10D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.225 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для HY10P10D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY10P10D даташит

 ..1. Size:2311K  hymexa
 hy10p10d hy10p10u.pdf pdf_icon

HY10P10D

HY10P10D/U P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description -100V/-10A RDS(ON)= 187m (typ.)@VGS = -10V RDS(ON)= 208m (typ.)@VGS = -4.5V 100% Avalanche Tested S Reliable and Rugged D G Halogen Free and Green Devices Available S D (RoHS Compliant) G TO-252-2L TO-251-3L Applications Power Management for Inverter Systems P-Channel MOSFET Ordering a

Другие IGBT... HY050N08C2, HY050N08P, HY050N08B, HY0810S, HY0910D, HY0910U, HY0910V, HY0C20C, AON7403, HY10P10U, HY1103S, HY1106S, HY1203S, HY1210D, HY1210U, HY1210V, HY12P03C2