SSR3055LA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSR3055LA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 18 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
Carga de la puerta (Qg): 7.2 nC
Tiempo de subida (tr): 16 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 100 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.165 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSR3055LA
SSR3055LA Datasheet (PDF)
7.2. Size:496K samsung
ssr3055a.pdf
ssr3055a.pdf
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.15 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaA Lower Leakage Current : 10 (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.097 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteris
Otros transistores... SSP7N60A , SSP7N80A , SSP80N06A , SSR1N50 , SSR1N50A , SSR1N60A , SSR2N60A , SSR3055A , IRFP460 , SSS10N60A , SSS1N50A , SSS1N60A , SSS2N60A , SSS2N80A , SSS2N90A , SSS3N80A , SSS3N90A .
