SSR3055LA Todos los transistores

 

SSR3055LA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSR3055LA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 18 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.165 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de SSR3055LA MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SSR3055LA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:165K  1
 ssr3055la ssu3055la.pdf pdf_icon

SSR3055LA

 7.1. Size:329K  1
 ssu3055a ssr3055a.pdf pdf_icon

SSR3055LA

 7.2. Size:496K  samsung
 ssr3055a.pdf pdf_icon

SSR3055LA

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.15 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaA Lower Leakage Current : 10 (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.097 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteris

Otros transistores... SSP7N60A , SSP7N80A , SSP80N06A , SSR1N50 , SSR1N50A , SSR1N60A , SSR2N60A , SSR3055A , IRFZ44 , SSS10N60A , SSS1N50A , SSS1N60A , SSS2N60A , SSS2N80A , SSS2N90A , SSS3N80A , SSS3N90A .

History: IXTH20N55MB | D80N06

 

 
Back to Top

 


 
.