SSR3055LA - описание и поиск аналогов

 

SSR3055LA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSR3055LA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для SSR3055LA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSR3055LA даташит

 ..1. Size:165K  1
 ssr3055la ssu3055la.pdf pdf_icon

SSR3055LA

 7.1. Size:329K  1
 ssu3055a ssr3055a.pdf pdf_icon

SSR3055LA

 7.2. Size:496K  samsung
 ssr3055a.pdf pdf_icon

SSR3055LA

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 60 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.15 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area A Lower Leakage Current 10 (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) 0.097 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteris

Другие MOSFET... SSP7N60A , SSP7N80A , SSP80N06A , SSR1N50 , SSR1N50A , SSR1N60A , SSR2N60A , SSR3055A , IRFZ44 , SSS10N60A , SSS1N50A , SSS1N60A , SSS2N60A , SSS2N80A , SSS2N90A , SSS3N80A , SSS3N90A .

History: STP53N05 | STP50N06FI | FDB86102LZ | STP50N06LFI | SSR2N60A

 

 

 


 
↑ Back to Top
.