Справочник MOSFET. SSR3055LA

 

SSR3055LA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSR3055LA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для SSR3055LA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSR3055LA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:165K  1
 ssr3055la ssu3055la.pdf pdf_icon

SSR3055LA

 7.1. Size:329K  1
 ssu3055a ssr3055a.pdf pdf_icon

SSR3055LA

 7.2. Size:496K  samsung
 ssr3055a.pdf pdf_icon

SSR3055LA

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.15 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaA Lower Leakage Current : 10 (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.097 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteris

Другие MOSFET... SSP7N60A , SSP7N80A , SSP80N06A , SSR1N50 , SSR1N50A , SSR1N60A , SSR2N60A , SSR3055A , IRFZ44 , SSS10N60A , SSS1N50A , SSS1N60A , SSS2N60A , SSS2N80A , SSS2N90A , SSS3N80A , SSS3N90A .

History: MNT-LB32N20-C4

 

 
Back to Top

 


 
.