HY1203S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY1203S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: SOP8

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HY1203S datasheet

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HY1203S

HY1203S N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 30V/12A D D RDS(ON) = 7.5 m (typ.)@VGS = 10V D D RDS(ON) = 9.0 m (typ.)@VGS = 4.5V Avalanche Rated S S S Reliable and Rugged G Lead Free Devices Available SOP-8 Applications Power Management in DC/DC Converter N-Channel MOSFET Switching application Ordering and Marking In

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