HY1203S Todos los transistores

 

HY1203S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY1203S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

HY1203S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:710K  hymexa
 hy1203s.pdf pdf_icon

HY1203S

HY1203S N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 30V/12A DDRDS(ON) = 7.5 m(typ.)@VGS = 10V DDRDS(ON) = 9.0 m(typ.)@VGS = 4.5V Avalanche Rated SSS Reliable and Rugged G Lead Free Devices Available SOP-8Applications Power Management in DC/DC Converter N-Channel MOSFET Switching application Ordering and Marking In

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History: AO4405 | NCEAP40T17AD | WSD2012DN25 | STK28N3LLH5 | IRF7103PBF | IPD12CN10NG | NVMFS020N06C

 

 
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